，10a是1d之后首个实际线宽低于10纳米的节点，专家估算其线宽为9.5–9.7nm。 工作晶片代表设计与工艺方向正确，后续将进入良率提升与可靠性验证阶段。三星规划：2026年完成10a DRAM开发，2027年开展品质测试，2028年转入量产。10a至10c三代将持续采用4F²+VCT技术，10d起
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发布时间：14:46:30
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